變頻抗干擾介質(zhì)損耗測試儀廠家

產(chǎn)品簡介：

介質(zhì)損耗測試儀用于現(xiàn)場抗干擾介損測量，或試驗(yàn)室精密介損測量。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗(yàn)變壓器和標(biāo)準(zhǔn)電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù)，全自動(dòng)智能化測量，強(qiáng)干擾下測量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。測量結(jié)果由大屏幕液晶顯示，自帶微型打印機(jī)可打印輸出。

工作原理：

在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx），如圖1所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測量線路組成，被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A／D轉(zhuǎn)換器組成。通過測量電路分別測得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位等，再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法，通過矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施，保證在外電場干擾下準(zhǔn)確測量。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、超大液晶中文顯示

操作簡單，儀器配備了的全觸摸液晶顯示屏，超大全觸摸操作界面，每過程都非常清晰明了，操作人員不需要額外的專業(yè)培訓(xùn)就能使用。輕輕點(diǎn)擊一下就能完成整個(gè)過程的測量，是目前非常理想的智能型介損測量設(shè)備。

2、海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器，保存數(shù)據(jù)200組，能將檢測結(jié)果按時(shí)間順序保存，隨時(shí)可以查看歷史記錄，并可以打印輸出。

3、科學(xué)先進(jìn)的數(shù)據(jù)管理

儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導(dǎo)出，可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過我公司軟件，查看和管理數(shù)據(jù)。

4、多種測試模式

儀器使用內(nèi)高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的方式測試，正接法、反接法、自激法。

5、CVT測試一步到位

該儀器還可以測試全密封的CVT（電容式電壓互感器）C1、C2的介損和電容量。

6、不拆高壓引線測量CVT

儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。

7、CVT反接屏蔽法測量C0

儀器可采用反接屏蔽法測量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。

技術(shù)參數(shù)：

1、高壓輸出： 0.5 ～10kV，

每一檔增加500V，共有二十檔，容   量：1500VA

2、準(zhǔn) 確 度： tgδ: ±(讀數(shù)*1.5%+0.06%)

Cx: ±(讀數(shù)*1.5%+5PF)

3、分 辨 率： tgδ：0.001％   Cx：0.001pF

4、測量范圍： 0.001% ＜  tgδ  ＜ 

              內(nèi)施高壓：3pF～60000pF/10kV  60pF～1µF/0.5kV

              外施高壓：3pF～1.5µF/10kV  60pF～30µF/0.5kV

電    源： AC 220V士10％   50士1Hz
測量方式：a.單頻：45Hz、50Hz、55Hz、60Hz、65Hz

             b.異頻：45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz 自動(dòng)雙變頻         

7、諧波適應(yīng)：  ≤3％

8、使用條件：  -15℃－50℃    相對濕度＜80%  

9、外型尺寸： 460（L）×345（W）×345（H）

10、重   量： 35 kg

注意事項(xiàng)：

1、抗干擾介質(zhì)損耗測試儀BS-9000D型必須可靠接地，否則會(huì)使測量結(jié)果出現(xiàn)明顯偏差和重復(fù)性偏差。
2、用QS1做對比試驗(yàn)時(shí)，請留意QS1的tgδ誤差±0.3%，BR16為±0.1%。
3、請保持接地點(diǎn)良好的導(dǎo)電性，現(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)應(yīng)使接線各個(gè)連接點(diǎn)（如掛鉤等）接觸良好，以保證測量數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
4、介損測量受試驗(yàn)方法影響較大，應(yīng)注意試驗(yàn)方法對測量結(jié)果的影響。
5、試驗(yàn)室用標(biāo)準(zhǔn)損耗器鑒定時(shí)，應(yīng)使用全屏蔽的兩頭插頭的電纜連接，否則未屏蔽的導(dǎo)線的附加電容會(huì)引起誤差。
6、空氣濕度較大時(shí)會(huì)使試品表面受潮，介損值會(huì)異常增大且不穩(wěn)定，必要時(shí)可使用屏蔽環(huán)吸收試品表面泄漏電流。

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